Dank geringer Gate-Ladung und schneller Schaltzeiten ermöglicht er energieeffiziente Schaltungen mit reduzierten Schaltverlusten. Durch das kompakte QFN-Gehäuse eignet er sich zudem ideal für platzkritische Designs. Die hohe Sperrschichttemperatur gewährleistet robusten Betrieb auch unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen.

Durch seine Kombination aus kompakter Bauform und hoher Stromtragfähigkeit lassen sich leistungsfähige Schaltungen realisieren, die gleichzeitig Platz und Energie sparen.

Spezifikationen

• V_DSS: 30 V
• I_D: 10 A Dauerstrom, 50 A Spitzenstrom
• R_DS(on): < 12 mΩ
• Q_G (Gate-Ladung): 25 nC
• Sperrschichttemperatur: -55 °C bis +150 °C
• Gehäuse PowerQFN 2 x 2 x 0,6 mm
• AEC-Q101 qualifiziert (DI010N03PW-AQ)

Typische Anwendungen

• DC/DC-Wandler
• Energiemanagement-Systeme
• Lastschalter
• Automotive-, Industrie- und Consumer-Elektronik

Technischer Mehrwert

• niedriger R_DS(on) reduziert Leitverluste und Wärmeentwicklung
• geringe Gate-Ladung (Q_G ) unterstützt schnelle und energieeffiziente Schaltvorgänge
• hohe Sperrschittemperatur sorgt für robusten Betrieb unter anspruchsvollen Bedingungen
• hohe Stromtragfähigkeit trotz minimalem Platzbedarf