TSC3PAK – Neues Gehäuse von ROHM für SiC-MOSFETs mit Top-Side-Kühlung

Bei Hochleistungsanwendungen standen Entwickler bislang häufig vor einem Zielkonflikt: Entweder sorgten klassische Through-Hole-Gehäuse wie TO-247 für…
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TSC3PAK

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FÜR WEISBAUER ELEKTRONIK

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