DIF065SIC020 für EV-Ladesysteme

Hocheffizienter 650-V-SiC-MOSFET im TO-247-4L Gehäuse

Diotec Semiconductor stellt seinen neuesten Siliziumkarbid-MOSFET DIF065SIC020 vor, der sich durch einen außergewöhnlich niedrigen RDS(on)-Wert von…

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FÜR WEISBAUER ELEKTRONIK

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