Mit dem neuen TSC3PAK schließt ROHM genau diese Lücke. Das neue Gehäuse für SiC-MOSFETs kombiniert eine effiziente Top-Side-Kühlung mit den Vorteilen einer automatisierten SMT-Fertigung und erreicht dabei eine Wärmeableitung auf dem Niveau klassischer TO-247-Gehäuse. Dadurch lassen sich kompaktere, effizientere und einfacher zu produzierende Hochleistungsanwendungen realisieren.
| Key Facts | |
| Kühlkonzept | Top-Side-Kühlung |
| Fertigung | SMT-fähig |
| Hochspannungsfähigkeit | AC-Spitzenspannungen bis 1200 V |
| Kriechstrecke | 6,66 mm |
| Kompatibilität | SIC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM |
| Besonderheit | Wärmeableitung auf dem Niveau eines TO-247-Gehäuses |
Vorteile
- Verbindet hohe Wärmeableitung mit automatisierter SMT-Fertigung
- Hohe Leistungsdichte bei kompakter Bauweise
- Vereinfachte Produktionsprozesse
- Optimiertes Thermomanagement
- Geeignet für Hochspannungsanwendungen
Anwendungen
- Onboard Charger (OBC) in Elektrofahrzeugen
- Elektrische Kompressoren
- PV-Wechselrichter
- Server-Netzteile
- Industrielle Stromversorgungen
Die Serienproduktion hat bereits begonnen und das TSC3PAK wird zunächst für ausgewählte SiC MOSFETs der 4. Generation angeboten. Zusätzlich stellt ROHM Simulationsmodelle zur Verfügung, um die Entwicklung und Evaluierung neuer Schaltungsdesigns zu beschleunigen.
Die Marke EcoMOS™
EcoMOS™ ist ROHMs Marke für Silizium-Leistungs-MOSFETs, die für energieeffiziente Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickelt wurden. EcoMOS™ wird häufig in Anwendungen wie Haushaltsgeräten, Industrieanlagen und Automobilsystemen eingesetzt. Die Marke bietet eine vielfältige Produktpalette, die eine Produktauswahl auf der Grundlage von Schlüssel-parametern wie Rauschverhalten und Schalteigenschaften ermöglicht, um spezifische Anforderungen zu erfüllen.
