Diotec Semiconductor stellt seinen neuesten Siliziumkarbid-MOSFET DIF065SIC020 vor, der sich durch einen außergewöhnlich niedrigen R_DS(on)-Wert von 20 mΩ auszeichnet. Er ist im neuen TO-247-4L-Gehäuse untergebracht, das einen vierten Anschluss enthält, auch Kelvin-Source genannt. Es erlaubt schnellere Schaltgeschwindigkeiten, geringere Verlustleistungen und eine höhere Zuverlässigkeit. Dieses Bauteil ist ideal geeignet für ein umfassendes Portfolio an verschiedensten Anwendungen: Stromversorgungen für Datenserver, Solar-Wechselrichter, industrielle Antriebe und Leistungswandler.

Im Bereich der Leistungselektronik, wo laufend die Energieeffizienz verbessert werden muss, entwickelt sich SiC zu einer vielversprechenden Technologie der nächsten Generation. Sie verspricht überlegene Fähigkeiten, die die konventionellen Leistungs-MOSFETs oder IGBTs auf Siliziumbasis übertreffen, aufgrund des höheren Spannungsdurchbruchs und einer deutlich geringeren Verlustleistung. Durch die Implementierung der Wide-Bandgap-Technologie können diese Bauelemente auch in Hochtemperaturanwendungen zuverlässig arbeiten. Mit einem vergleichsweise geringeren Durchlasswiderstand erzeugen SiC-MOSFETs geringere Schaltverluste pro Zyklus und verbessern den Wirkungsgrad erheblich, während sie gleichzeitig eine höhere Schaltgeschwindigkeit in einem Leistungswandlerystem erlauben. Somit entwickeln sich SiC-MOSFETs zur bevorzugten Lösung für verschiedenste Anwendungen, insbesondere solche, bei denen hohe Spannungen bei sehr hohen Frequenzen geschaltet werden – wo Si-basierte MOSFETs und IGBTs klar eingeschränkt sind.

Typische Anwendungen

Stromversorgungen für Datenserver
Ladesysteme für Elektrofahrzeuge (EV)
Solar-Wechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (UPS)
Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
Schaltnetzteile (SMPS)
DC/DC-Wandler
Industrielle Antriebe und Stromversorgungen

Spezifikationen

650 V Drain-Source-Spannung (V_DSS)
Maximal 20 mΩ Einschaltwiderstand (R_DS(on))
100 µA Drain-Source-Leckstrom (I_DSS)
Von -10 V bis 22 V kontinuierliche Gate-Source-Spannung (V_GSS)
Empfohlene Einschalt-Gate-Spannung V_GS(on) von 18 V
Empfohlene Abschalt-Gate-Spannung V_GS(off) von -5 V
550 W Verlustleistung (P_tot)
Bis zu 150 A Spitzen-Drainstrom (I_DM)
0,21 K/W maximaler Wärmewiderstand (R_thC)
-55 °C bis +175 °C Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich (T_j)
Industriestandard-Gehäuse TO-247 mit vier Anschlüssen und Kelvin-Source

Merkmale

Hohe Durchbruchsspannung in Sperrrichtung
Fortschrittliche Planar-Technologie
Extrem niedriger Einschaltwiderstand
Schnelle Schaltzeit bei geringer Kapazität
Niedrige Gate-Ladung
Niedrige Gesamt-Schaltenergie

Mit dem DIF065SIC020 unterstreicht Diotec sein Engagement, die nächste Generation von Energiewandlern mit langlebiger, hocheffizienter SiC-Technologie zu bestücken. Ganz gleich, ob Sie Datenserver-, Solar-, Industrie- oder EV-Lösungen entwicklen, dieser MOSFET erfüllt die Anforderungen der modernen Leistungselektronik.