Unterstützt wird eine Vielzahl von Leistungstransistoren, von Si-MOSFETs und IGBTs bis zu SiC-MOSFETs, mit integrierter hochpräziser Unterspannungsschutzfunktion. Die Massenproduktion wurde bereits für vier Varianten zur Ansteuerung einer breiten Palette von Leistungshalbleitern gestartet: BD28C55FJ-LB für Niederspannungs-MOSFETs, BD28C54FJ-LB für Mittel- bis Hochspannungs-MOSFETs, BD28C57LFJ-LB für IGBTs und BD28C57HFJ-LB für SiC-MOSFETs.
Obwohl sich die weltweite Halbleiterknappheit zu entspannen beginnt, bleibt das Angebot an Halbleiterbauelementen für Stromversorgungen in industriellen Anwendungen weiter hinter der Nachfrage zurück. Dies gilt insbesondere für PWM-Controller-ICs, bei denen die begrenzte Anzahl von Herstellern zu chronischen Lieferengpässen und damit zu zahlreichen Anfragen für Produktentwicklungen führte.
ROHM hat daher PWM-Controller-ICs entwickelt, die den strengen Gehäuse- und Leistungsanforderungen des Industriemarktes gerecht werden. Je nach Eingangs-Wechselspannungsbereich der Anwendung wird eine Vielzahl von Halbleitern für die Stromversorgungsschaltung verwendet. Jeder dieser Halbleiter erfordert unterschiedliche Unterspannungsabschaltungen, um ein thermisches Durchgehen bei einem Abfall der Versorgungs-/Gate-Spannung zu verhindern. Zur Lösung dieses Problems bietet ROHM nun vier Varianten mit unterschiedlichen Unterspannungsabschaltstufen an.
Die neuen Produkte zeichnen sich durch einen Eingangsspannungsbereich von 6,9 V bis 28,0 V, einen Schaltungsstrom von bis zu 2,0 mA, einen maximalen Einschaltstrom von 75 µA und ein maximales Tastverhältnis von 50 % aus. Sie werden im Standardgehäuse SOP-J8 (entspricht JEDEC SOIC8) angeboten. Die Produkte sind Pin-zu-Pin-kompatibel zu Standardprodukten, die üblicherweise in Stromversorgungsschaltungen verwendet werden, und reduzieren so den Aufwand für Re-Design und Modifikation. Alle Varianten sind mit einer selbsterholenden Unterspannungs-Lockout-Funktion (UVLO) mit Spannungshysterese ausgestattet. Dadurch wird die Anwendungszuverlässigkeit erheblich verbessert, da der Schwellenspannungsfehler auf ±5 % reduziert wird, verglichen mit den typischen ±10 % von Standardprodukten.
Die für Langzeitversorgung ausgelegten ICs gewährleisten den kontinuierlichen Betrieb von langlebigen Industrieanlagen. Künftig wird die Produktreihe um Modelle für die Ansteuerung von Hochspannungs-MOSFETs und GaN-Bauelementen erweitert. In Planung sind auch Varianten, die ein maximales Tastverhältnis von 100 % unterstützen.
Produktspektrum | ||
P/N | UVLO | Target Power Device |
BD28C55FJ-LB | 8,4 V / 7,6 V | Si MOS |
BD28C54FJ-LB | 14,5 V / 9,0 V | Si MOS / IGBT |
BD28C57LFJ-LB | 18,8 V / 14,5 V | SIC |
BD28C57HFJ-LB | 18,8 V / 15,5 V | SIC |
BD28C51FJ-LB* | 7,0 V / 6,6 V | GaN / MOS |
BD28C59FJ-LB* | 16,0 V / 12,5 V | MOS |
* in Entwicklung |
Anwendungsbeispiele
Industrielle Ausrüstung: AC/DC-Stromversorgungen, Wechselrichter für Motorantriebe und andere AC-betriebene Geräte